平成22年春期試験問題 午前問24
問24解説へ
フラッシュメモリの説明として，適切なものはどれか。
- 1回だけ電気的に書込みができる。
- 一定時間内に再書込み(リフレッシュ動作)を行う。
- 書込み，消去とも電気的に行い，一括又はブロック単位で消去する。
- 書込みは電気的に行い，消去は紫外線によって行う。
広告
解説
フラッシュメモリ(flash memory)は、書き換え可能であり、電源を切ってもデータが消えない不揮発性の半導体メモリ。フラッシュEEPROMまたはフラッシュROMとも言います。EEPROMの一種で書込み、消去とも電気的に行いますが、従来のEEPROMと違って1バイト単位の書き換えは出来ず、あらかじめブロック単位で消去してから書き込みを行うことが特徴です。
- OTPROM(One Time Programmable ROM)の説明です。フラッシュメモリは何度でも書換えが可能です。
- DRAMの説明です。
- 正しい。
- 書込・消去可能なEPROMの一種であるUV_EPROMの説明です。
広告