基本情報技術者 試験情報＆徹底解説 -新制度に完全対応-

フラッシュメモリは、電気的に書き換え可能であり、電源を切ってもデータが消えない半導体メモリです。区分的にはEEPROM(Electrically Erasable Programmable ROM)の一種ですが、1バイト単位で書き換えを行う従来のEEPROMとは異なり、フラッシュメモリは数十Kバイトから数Mバイトのブロック単位で書き換えを行います。

急激な低価格化の影響もあり、USBメモリやメモリーカードの内部に組み込まれる形で、スマートフォン、デジタルカメラ、デジタルオーディオプレーヤなどの記憶媒体として広く普及しています。

• SRAM(Static RAM)の説明です。フラッシュメモリは、HDDと比較すれば高速ですが、キャッシュメモリとして使用できるほど高速ではありません。
• UV-EPROM(紫外線消去型EPROM)の説明です。フラッシュメモリは電気的に書換えを行います。
• DRAM(Dynamic RAM)の説明です。フラッシュメモリは不揮発性メモリです。
• 正しい。フラッシュメモリはブロック単位で書き換えを行います。